三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。
这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。
这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。
按照三星的规划，2025年下半年将量产第十代V-NAND，进一步堆叠到430层。
更遥远的未来，三星可能会在2030年左右做到1000层。
中国长江存储可能会在今年下半年量产300层，SK海力士计划明年初量产321层，铠侠号称2031年量产1000多层！
文章来源于互联网:凤凰网-三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层
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