IT之家 8月11日消息，据最新消息，三星Galaxy S26 Ultra在内存性能方面将实现重大飞跃。爆料人Ice Universe透露，该机型将配备美光最新的LPDDR5X内存，其速度高达10.7 Gbps，相较于S25 Ultra的9.6 Gbps显著提升。
这一内存速度的飞跃得益于美光的1γ（1-gamma）DRAM架构，该架构相比上一代的 1β（1-beta）架构，在功耗效率和多任务处理能力上都有大幅提升。这意味着用户在使用手机时，尤其是在运行高负载任务时，能够获得更流畅的性能体验，同时不会过度消耗电池电量。
据IT之家了解，虽然在日常使用中，这种速度提升可能并不明显，但在对内存带宽要求极高的场景中，例如大型游戏或多任务切换时，其优势将极为突出。对于游戏玩家和经常需要同时运行多个应用程序的用户来说，这一升级无疑是一个巨大的福音。
此外，三星近年来一直在努力提升其设备的人工智能能力，而此次的RAM升级将在其中发挥关键作用。Galaxy S26 Ultra还预计将搭载骁龙8 Elite 2芯片，结合内存性能的提升，这款手机的整体性能将远超前代机型。
文章来源于互联网:凤凰网-消息称三星Galaxy S26 Ultra手机将搭载LPDDR5X内存，速率达10.7 Gbps
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