据报道，全球存储芯片市场的领头羊三星电子Samsung，近日在美国硅谷开设了新的半导体芯片研究实验室。这一举措标志着三星Samsung在持续推动3D设备动态随机存取存储器技术上的决心。
新实验室隶属于三星电子Samsung的DSA（美国设备解决方案）部门，专注于研发下一代3D设备技术。据报道，三星正在开发3D DRAM技术，该技术能够在单个芯片上提供高达100Gb的容量。这一技术的突破将极大地提升存储容量，满足不断增长的数据存储需求。
三星Samsung的3D DRAM技术采用了亚10纳米制造技术，有望引领下一波内存产品革新。据韩联社报道，新技术将带来更高容量的存储芯片，每个芯片的容量高达100Gb。
在全球存储芯片市场经历了一年的低迷后，三星此举具有重大意义。去年，由于芯片市场低迷，三星的半导体部门出现了有史以来的首次亏损。然而，随着人工智能技术的快速发展，以及OpenAI的ChatGPT等应用的推动，对内存芯片的需求正在不断增长。专家预测，2024年将是内存芯片公司的好年景，三星正抓住这一机遇，加速推进3D DRAM技术的研发。
此外，三星Samsung已经开始在其产品中广泛集成人工智能技术，以提升音频和图像质量。例如，最新的Neo QLED电视就具备了人工智能功能。
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