1. 科技云首页
  2. 产品

SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存，计划2025上半年对外出货

山治 • • 产品

IT之家 11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。

据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。

SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存，计划2025上半年对外出货

SK 海力士表示：“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。”

SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存，计划2025上半年对外出货

据介绍，SK 海力士在此次产品开发过程中采用了高效的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。

IT之家查询获悉，该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将 3 个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。

此外，SK 海力士技术团队也将上一代 238 层 NAND 闪存的开发平台应用于 321 层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了 59%。

文章来源于互联网:凤凰网-SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存，计划2025上半年对外出货

赞 (0)
山治山治
0 0
上一篇 2024年 11月 21日 am11:38
下一篇 2024年 11月 21日 pm12:08

相关推荐

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注

记住昵称、邮箱和网址，下次评论免输入