sk海力士
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三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试
5月27日消息,关于三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。一些“知情人士”声称,三星的芯片面临发热和功耗等问题。 然而,韩国媒体Busin…
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英伟达财报前夕,分析师建议通过多元化持股应对市场波动
随着英伟达财报公布日期临近,市场对该科技巨头的业绩表现充满期待,同时也不乏对潜在波动的担忧。为了应对财报发布后可能出现的市场波动,元大证券近日发布了一份投资策略报告,建议投资者通过…
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SK海力士旗下启方半导体将为特斯拉生产电源管理芯片
韩国半导体巨头SK海力士旗下子公司启方半导体(SK Key Foundry)将于今年下半年正式启动为特斯拉生产电源管理(PMIC)芯片的代工业务。这一消息由韩国每日经济新闻率先报道…
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SK海力士宣布加速HBM4E内存研发,预计2026年推出,带宽提升40%
近日,全球知名半导体企业SK海力士在其官方公告中宣布,将加速其高性能内存(HBM)技术的研发进程,并预计在2026年最早推出其下一代HBM产品——HBM4E。据公司负责人Kim G…
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华为Pura 70 Pro拆解,国产部件使用率高于Mate60
据拆解机构调查发现,华为 (Huawei) 最新发布手机配备更多的中国供应商组件,包括一款新的闪存芯片和一款改进的芯片处理器,这表明中国在技术自给自足方面正在取得进展。 线上技术维…
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SK海力士子公司拟向无锡国企转让无锡晶圆厂近半股权
据韩联社报道,半导体巨头SK海力士的子公司SK海力士系统集成电路(SK Hynix System IC)计划将其持有的无锡晶圆厂(SK Hynix System IC (Wuxi)…
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SK海力士宣布开发出新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”,2024年第三季度量产并搭载于端侧AI手机
IT之家 5 月 9 日消息,SK 海力士公司今日宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI 的移动端 NAND 闪存解决方案产品“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。…
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直面三星、SK海力士!消息称华为正开发国产HBM存储器:拒绝卡脖子
快科技4月27日消息,为规避限制,消息称华为正在开发国产HBM存储器。 消息中指出,华为正加快在中国建立高带宽内存(HBM)的国内生产能力。 此举可以解决阻碍该公司在人工智能和高性…
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消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程
IT之家 4 月 23 日消息,韩媒 The Elec 在报道中表示,预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的基础裸片(Base Die)部分采用台积电 7nm 制程。 IT之家注…
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三星明年量产430层闪存!但有人瞄准了1000+层
三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。 这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上…
